♦氧化铝(Al2O3)
中辉智能制造集团（ZHHIMG）生产的精密陶瓷零件采用高纯度陶瓷原料，氧化铝含量分别为92%~97%、99.5%和>99.9%，经CIP冷等静压成型、高温烧结和精密加工，尺寸精度可达±0.001mm，表面光洁度Ra可达0.1，使用温度高达1600℃。可根据客户要求定制不同颜色的陶瓷，例如：黑色、白色、米色、深红色等。我公司生产的精密陶瓷零件具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损和绝缘性能，可在高温、真空和腐蚀性气体环境中长期使用。
广泛应用于各种半导体生产设备：框架（陶瓷支架）、基板（底座）、机械臂/桥架（机械臂）、机械部件和陶瓷气浮轴承。
| 产品名称 | 高纯度99氧化铝陶瓷方管/方棒 | |||||
| 指数 | 单元 | 85% Al2O3 | 95% Al2O3 | 99% Al2O3 | 99.5% Al2O3 | |
| 密度 | 克/立方厘米 | 3.3 | 3.65 | 3.8 | 3.9 | |
| 吸水率 | % | <0.1 | <0.1 | 0 | 0 | |
| 烧结温度 | ℃ | 1620 | 1650 | 1800 | 1800 | |
| 硬度 | 莫氏 | 7 | 9 | 9 | 9 | |
| 弯曲强度（20℃） | 百万 | 200 | 300 | 340 | 360 | |
| 抗压强度 | 千克力/平方厘米 | 10000 | 25000 | 30000 | 30000 | |
| 长时间工作温度 | ℃ | 1350 | 1400 | 1600 | 1650 | |
| 最高工作温度 | ℃ | 1450 | 1600 | 1800 | 1800 | |
| 体积电阻率 | 20℃ | Ω·cm³ | >1013 | >1013 | >1013 | >1013 |
| 100℃ | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | ||
| 300℃ | >109 | >1010 | >1012 | >1012 | ||
高纯氧化铝陶瓷的应用：
1. 应用于半导体设备：陶瓷真空吸盘、切割盘、清洗盘、陶瓷吸盘。
2. 晶圆转移部件：晶圆搬运卡盘、晶圆切割盘、晶圆清洗盘、晶圆光学检测吸盘。
3. LED/LCD平板显示行业：陶瓷喷嘴、陶瓷磨盘、升降销、销轨。
4. 光通信、太阳能行业：陶瓷管、陶瓷棒、电路板丝网印刷陶瓷刮刀。
5. 耐热且电绝缘的部件：陶瓷轴承。
目前，氧化铝陶瓷可分为高纯度陶瓷和普通陶瓷。高纯度氧化铝陶瓷系列是指Al₂O₃含量超过99.9%的陶瓷材料。由于其烧结温度高达1650～1990℃，且透射波长为1～6μm，通常采用熔融玻璃而非铂坩埚进行加工：由于其良好的透光性和对碱金属的耐腐蚀性，可用作钠管。在电子工业中，可用作集成电路基板的高频绝缘材料。根据氧化铝含量的不同，普通氧化铝陶瓷系列可分为99陶瓷、95陶瓷、90陶瓷和85陶瓷。有时，氧化铝含量为80%或75%的陶瓷也被归类为普通氧化铝陶瓷系列。其中，99号氧化铝陶瓷材料用于制造高温坩埚、耐火炉管以及陶瓷轴承、陶瓷密封件和阀板等特殊耐磨材料。95号铝陶瓷主要用作耐腐蚀耐磨部件。85号陶瓷通常掺杂一些其他材料，以提高其电性能和机械强度。它可以与钼、铌、钽等金属配合使用，部分还用于制造电真空装置。
| 质量指标（代表性价值） | 产品名称 | AES-12 | AES-11 | AES-11C | AES-11F | AES-22S | AES-23 | AL-31-03 | |
| 化学成分低钠易烧结产品 | 水 | % | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
| 哈哈 | % | 0.1 | 0.2 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | |
| Fe₂O₃ | % | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | |
| 二氧化硅 | % | 0.03 | 0.03 | 0.03 | 0.03 | 0.02 | 0.04 | 0.04 | |
| 氧化钠 | % | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.02 | 0.04 | 0.03 | |
| 氧化镁* | % | - | 0.11 | 0.05 | 0.05 | - | - | - | |
| Al₂O₃ | % | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | |
| 中等粒径（MT-3300，激光分析法） | 微米 | 0.44 | 0.43 | 0.39 | 0.47 | 1.1 | 2.2 | 3 | |
| α晶体尺寸 | 微米 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 ~ 1.0 | 0.3 ~ 4 | 0.3 ~ 4 | |
| 形成密度** | 克/立方厘米 | 2.22 | 2.22 | 2.2 | 2.17 | 2.35 | 2.57 | 2.56 | |
| 烧结密度** | 克/立方厘米 | 3.88 | 3.93 | 3.94 | 3.93 | 3.88 | 3.77 | 3.22 | |
| 烧结线收缩率** | % | 17 | 17 | 18 | 18 | 15 | 12 | 7 | |
* MgO 不计入 Al₂O₃ 的纯度计算中。
* 无结垢粉末 29.4MPa (300kg/cm²)，烧结温度为 1600°C。
AES-11 / 11C / 11F：添加 0.05 ~ 0.1% MgO，烧结性能优异，因此适用于纯度超过 99% 的氧化铝陶瓷。
AES-22S：烧结线具有成型密度高、收缩率低的特点，适用于滑模铸造和其他对尺寸精度要求较高的大型产品。
AES-23 / AES-31-03：与 AES-22S 相比，其成型密度、触变性和粘度更高。前者用于陶瓷，后者用作防火材料的减水剂，越来越受欢迎。
♦碳化硅（SiC）特性
| 一般特征 | 主要成分纯度（wt%） | 97 | |
| 颜色 | 黑色的 | ||
| 密度（克/立方厘米） | 3.1 | ||
| 吸水率（%） | 0 | ||
| 机械特性 | 抗弯强度（兆帕） | 400 | |
| 杨氏模量（GPa） | 400 | ||
| 维氏硬度（GPa） | 20 | ||
| 热特性 | 最高工作温度（摄氏度） | 1600 | |
| 热膨胀系数 | 室温~500°C | 3.9 | |
| （1/°C x 10-6） | 室温~800°C | 4.3 | |
| 热导率（W/m·K） | 130 110 | ||
| 热冲击阻力 ΔT (°C) | 300 | ||
| 电气特性 | 体积电阻率 | 25°C | 3 x 106 |
| 300°C | - | ||
| 500°C | - | ||
| 800°C | - | ||
| 介电常数 | 10GHz | - | |
| 介电损耗（×10-4） | - | ||
| Q 因子（×10⁴） | - | ||
| 介质击穿电压（千伏/毫米） | - | ||
♦氮化硅陶瓷
| 材料 | 单元 | Si₃N₄ |
| 烧结法 | - | 气体压力烧结 |
| 密度 | 克/立方厘米 | 3.22 |
| 颜色 | - | 深灰色 |
| 吸水率 | % | 0 |
| 杨氏模量 | 平均绩点 | 290 |
| 维氏硬度 | 平均绩点 | 18-20 |
| 抗压强度 | 百万 | 2200 |
| 弯曲强度 | 百万 | 650 |
| 热导率 | 瓦/米开尔文 | 25 |
| 热冲击阻力 | Δ (°C) | 450 - 650 |
| 最高工作温度 | 摄氏度 | 1200 |
| 体积电阻率 | Ω·cm | > 10 ^ 14 |
| 介电常数 | - | 8.2 |
| 介电强度 | kV/mm | 16 |