♦氧化铝（Al2臭氧
中汇智能制造集团生产的精密陶瓷零件采用高纯陶瓷原料，92~97%氧化铝、99.5%氧化铝、>99.9%氧化铝，采用CIP冷等静压成型工艺，高温烧结并精密加工，尺寸精度可达±0.001mm，光洁度可达Ra0.1，使用温度可达1600度。可根据客户要求制作不同颜色的陶瓷，如：黑色、白色、米色、深红色等。我公司生产的精密陶瓷零件耐高温、耐腐蚀、耐磨、绝缘，可在高温、真空及腐蚀性气体环境中长期使用。
广泛应用于各种半导体生产设备：框架（陶瓷支架）、基板（底座）、臂/桥（机械手）、机械部件和陶瓷空气轴承。
| 产品名称 | 高纯99氧化铝陶瓷方管/管/棒 | |||||
| 指数 | 单元 | 85% 氧化铝 | 95% 氧化铝 | 99% 氧化铝 | 99.5% 氧化铝 | |
| 密度 | 克/立方厘米 | 3.3 | 3.65 | 3.8 | 3.9 | |
| 吸水率 | % | <0.1 | <0.1 | 0 | 0 | |
| 烧结温度 | ℃ | 1620 | 1650 | 1800 | 1800 | |
| 硬度 | 莫氏 | 7 | 9 | 9 | 9 | |
| 弯曲强度（20℃） | 兆帕 | 200 | 300 | 340 | 360 | |
| 抗压强度 | 公斤力/平方厘米 | 10000 | 25000 | 30000 | 30000 | |
| 长期工作温度 | ℃ | 1350 | 1400 | 1600 | 1650 | |
| 最高工作温度 | ℃ | 1450 | 1600 | 1800 | 1800 | |
| 体积电阻率 | 20℃ | Ω.cm3 | >1013 | >1013 | >1013 | >1013 |
| 100℃ | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | ||
| 300℃ | >109 | >1010 | >1012 | >1012 | ||
高纯氧化铝陶瓷的应用：
1.应用于半导体设备：陶瓷真空吸盘、切割盘、清洁盘、陶瓷CHUCK。
2、晶圆传送部件：晶圆处理卡盘、晶圆切割盘、晶圆清洁盘、晶圆光学检测吸盘。
3.LED/LCD平板显示行业：陶瓷吸嘴、陶瓷研磨盘、LIFT PIN、PIN轨。
4、光通讯、太阳能行业：陶瓷管、陶瓷棒、电路板丝网印刷陶瓷刮刀。
5.耐热和电绝缘部件：陶瓷轴承。
目前，氧化铝陶瓷可分为高纯氧化铝陶瓷和普通氧化铝陶瓷两大类。高纯氧化铝陶瓷系列是指Al₂O₃含量在99.9%以上的陶瓷材料，因其烧结温度高达1650～1990℃，透过波长为1～6μm，常被加工成熔融玻璃代替铂坩埚；因其透光性好、耐碱金属腐蚀，可用作钠管；在电子工业中，可用作集成电路（IC）基片的高频绝缘材料。普通氧化铝陶瓷系列根据氧化铝含量不同，可分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷，有时也将氧化铝含量为80%或75%的陶瓷归为普通氧化铝陶瓷系列。其中99铝氧化陶瓷材料用于制作高温坩埚、耐火炉管及特种耐磨材料，如陶瓷轴承、陶瓷密封件、阀板等。95铝陶瓷主要用作耐腐蚀耐磨零件。85陶瓷常掺入一些性能优良的成分，从而提高电气性能和机械强度。可采用钼、铌、钽等金属密封，有的用作电真空器件。
| 品质项目（代表值） | 产品名称 | AES-12 | AES-11 | AES-11C | AES-11F | AES-22S | AES-23 | AL-31-03 | |
| 化学成分 低钠易烧结产品 | 水 | % | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
| 哈哈 | % | 0.1 | 0.2 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | |
| Fe₂0₃ | % | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | |
| 二氧化硅 | % | 0.03 | 0.03 | 0.03 | 0.03 | 0.02 | 0.04 | 0.04 | |
| 氧化钠 | % | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.02 | 0.04 | 0.03 | |
| MgO* | % | - | 0.11 | 0.05 | 0.05 | - | - | - | |
| Al₂0₃ | % | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | |
| 中粒径（MT-3300，激光分析法） | 微米 | 0.44 | 0.43 | 0.39 | 0.47 | 1.1 | 2.2 | 3 | |
| α晶体尺寸 | 微米 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3～1.0 | 0.3～4 | 0.3～4 | |
| 成型密度** | 克/立方厘米 | 2.22 | 2.22 | 2.2 | 2.17 | 2.35 | 2.57 | 2.56 | |
| 烧结密度** | 克/立方厘米 | 3.88 | 3.93 | 3.94 | 3.93 | 3.88 | 3.77 | 3.22 | |
| 烧结线收缩率** | % | 17 | 17 | 18 | 18 | 15 | 12 | 7 | |
* MgO 不包含在 Al₂O₃ 纯度的计算中。
* 无助焊剂29.4MPa(300kg/cm²)，烧结温度1600℃。
AES-11/11C/11F：添加0.05~0.1%MgO，烧结性优良，适用于纯度99%以上的氧化铝陶瓷。
AES-22S：成型密度高，烧结线收缩率低，适用于滑模铸造等有尺寸精度要求的大型制品。
AES-23/AES-31-03：成型密度、触变性较AES-22S高，粘度较低，前者用于陶瓷，后者作为防火材料的减水剂，越来越受到人们的欢迎。
♦碳化硅（SiC）特性
| 一般特征 | 主成分纯度（wt%） | 97 | |
| 颜色 | 黑色的 | ||
| 密度（克/立方厘米） | 3.1 | ||
| 吸水率（%） | 0 | ||
| 机械特性 | 抗弯强度（MPa） | 400 | |
| 杨氏模量（GPa） | 400 | ||
| 维氏硬度（GPa） | 20 | ||
| 热特性 | 最高工作温度（℃） | 1600 | |
| 热膨胀系数 | 室温~500℃ | 3.9 | |
| （1/℃×10-6） | 室温~800℃ | 4.3 | |
| 热导率（W/m×K） | 130 110 | ||
| 抗热震性ΔT（℃） | 300 | ||
| 电气特性 | 体积电阻率 | 25°C | 3 x 106 |
| 300°C | - | ||
| 500°C | - | ||
| 800°C | - | ||
| 介电常数 | 10GHz | - | |
| 介电损耗（x 10-4） | - | ||
| Q 因子 (x 104) | - | ||
| 介质击穿电压（KV/mm） | - | ||
♦氮化硅陶瓷
| 材料 | 单元 | 氮化硅 |
| 烧结法 | - | 气压烧结 |
| 密度 | 克/立方厘米 | 3.22 |
| 颜色 | - | 深灰色 |
| 吸水率 | % | 0 |
| 杨氏模量 | 平均绩点 | 290 |
| 维氏硬度 | 平均绩点 | 18 - 20 |
| 抗压强度 | 兆帕 | 2200 |
| 弯曲强度 | 兆帕 | 650 |
| 热导率 | 瓦/立方米 | 25 |
| 抗热震性 | Δ（℃） | 450 - 650 |
| 最高工作温度 | 摄氏度 | 1200 |
| 体积电阻率 | Ω·厘米 | > 10 ^ 14 |
| 介电常数 | - | 8.2 |
| 介电强度 | 千伏/毫米 | 16 |